过去的主要工作及获得的成果：

• 首次在二维材料温度诱导的结构相变中发现非常规的Barkhausen效应，大大扩展了Barkhausen物理的适用范畴；

• 首次获得TaIrTe₄中心反演对称性破缺的实验证据， 证明TaIrTe₄中的第二类外尔费米子是可以存在的； 首次发现TaIrTe₄中外尔点导致的非线性光电效应；

• 首次发现对称性破缺的石墨烯半整数量子霍尔态其中填充数为8的量子态在极低温出现反常的温度相关稳定性，可能来自边缘态畴界马约拉纳零能级的影响；

• 首次量化测量带电杂质对石墨烯输运性质的影响，解决了学界在关于石墨烯最主要散射源的持久争论，证明带电杂质为高质量石墨烯器件的最主要散射源；

• 首次量化测量石墨烯声学声子及器件基底极化光学声子对石墨烯载流子的散射，实验发现在只考虑声子散射的情况下石墨烯为室温下最好的导体，导电率高于铜，电子迁移率远高于常规半导体材料，并在存在各种散射源的情况下对石墨烯电子迁移率的极限作出预测；

• 首次量化测量晶格缺陷对石墨烯输运性质的影响，并发现晶格缺陷引入了多种量子散射效应，如弱局域化效应；

• 首次发现单层石墨烯的晶格缺陷有磁性并与石墨烯的载流子有很强的交换相互作用从而导致出现一种可调的Kondo效应；

• 首次发展出在石墨烯上生长独特的5-5-8线性缺陷的技术，并发现此缺陷可用于制备电场可调的谷阀（利用“谷”自由度进行信息读写的器件）；

• 首次使用转移印刷方法在透明弹性基底上成功制造出高电子迁移率的单原子层石墨烯场效应管，刷新了转移印刷方法的应用极限，及展示了石墨烯在弹性电子器件方面的应用前景。