鞠光旭
Academic Title:教研
Degree:Doctoral degree
Status:Employed
School/Department:凝聚态物理与材料物理研究所
Profile
MORE+鞠光旭,北京大学物理学院助理教授/研究员、北京大学博雅青年学者,入选国家级青年人才计划。博士毕业于日本名古屋大学,自2009年以来,致力于利用先进X射线实时原位表征技术研究GaN基半导体的外延生长动力学。近年,结合MOCVD与同步辐射大科学装置,为解决该领域中的重大科学问题提供了新思路和新方法。这包括InGaN外延生长机理、应变弛豫过程、异质结中位错作用机理等。实现在原子尺度上对氮化物外延生长过程进行精确监测和调...
[1] 2009.9 to 2012.9
名古屋大学
| 学科门类
| Doctoral degree
| 博士
[2] 2007.7 to 2009.9
哈尔滨工业大学
[1] 2012.10 to 2014.4
Nagoya University
| 研究员
[2] 2014.4 to 2018.4
Argonne National laboratory
| 博士后
[3] 2018.4 to 2019.5
亚利桑那州立大学
| Research Assistant Professor
[4] 2019.5 to 2022.9
美国科技公司
Research Focus
MORE+[1] Our interests are exploring the synthesis for wide bandgap electron materials by metal-organic chemical vapor deposition and RF sputtering deposition using x-ray scattering as real-time probes of growth and processing. 1) Relaxation mechanisms and defect incorporation in epitaxial films 2) Time-resovled studies in structural and lattice response in thin films 3) Coherent x-ray scattering methods applied to the study of crystal growth The research group of Asst. Prof. Guangxu Ju at the Institute of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics, Peking University, specializing in in-situ x-ray characterizations of nitride semiconductors, is seeking candidates at the postdoctoral level and PhD. Please contact me if you are interested in nitride semiconductors, epitaxial growth dynamics, x-ray crystallography, and optical and electrical materials: gxju@pku.edu.cn.
[2] 本课题组立足于凝聚态实验物理和同步辐射表征的交叉领域,着重要研究氮化物半导体薄膜、表面界面以及缺陷应力等的物理机制和生长动力学。通过利用同步辐射先进X射线表征技术实时/原位监测GaN基半导体外延生长的实验和理论研究, 我们可以实现在原子尺度上对这些氮化物体系的精确设计以及制备; 并进一步对其物理特性进行研究和探索。主要集中在: (1)氮化物半导体外延生长动力学的机理研究 (2)InGaN基长波长LED的表界面和缺陷机理研究 (3)氮化物薄膜在micro-LED和高功率电子器件中的应用 (4)相干X射线散射技术在原位表征氮化物薄膜外延生长及其器件中的应用 我们热忱欢迎对氮化物半导体、光电子、X射线晶体学、大科学装置-同步辐射研究感兴趣的研究生、博士后加盟。感兴趣的同学请email联系(gxju@pku.edu.cn)。