王前
点赞：
王前
点赞：
论文成果
2D SnSe-based vdW heterojunctions: tuning the Schottky barrier by reducing Fermi level pinning
发布时间：2023-04-28点击次数：
影响因子：
0.0
发表刊物：
Nanoscale
是否译文：
否
发表时间：
2018-06-21