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王新强
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王新强
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发表论文(2013-2022年)
Electrical properties of GaN-based heterostructures adopting InAlN/ AlGaN bilayer barriers
发布时间:2022-04-11点击次数:
影响因子: 1.797
DOI码: 10.1016/j.jcrysgro.2016.04.055
发表刊物: Journal of Crystal Growth
论文类型: Journal
文献类型: J
是否译文:
发表时间: 2016-04-27
第一作者: Z.Y. Xu
通讯作者: F.J. Xu, B. Shen
全部作者: C.C. Huang , J.M. Wang , X. Zhang , Z.J. Yang , X.Q. Wang