王新强
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王新强
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发表论文（2013-2022年）
High-resistance GaN epilayers with low dislocation density via growth mode modification
发布时间：2022-04-11点击次数：
影响因子：
1.797
DOI码：
10.1016/j.jcrysgro.2016.06.038
发表刊物：
Journal of Crystal Growth
论文类型：
Journal
文献类型：
J
是否译文：
否
发表时间：
2016-06-22
第一作者：
Z.Y. Xu
通讯作者：
F.J. Xu, B. Shen
全部作者：
J.M. Wang , L. Lu , Z.J. Yang , X.Q. Wang