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研究领域主要集中在宽禁带半导体材料与器件方面，研究方向主要包括：
1、Si衬底上GaN基半导体材料的MOCVD外延生长研究
2、GaN基半导体材料中的杂质缺陷研究
3、GaN基功率电子器件/微波射频电子器件物理研究
杨学林
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Gender: Male
Education Level: With Certificate of Graduation for Doctorate Study
Alma Mater: 北京大学
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宽禁带半导体材料与器件（凝聚态物理与材料物理研究所）