Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs.Phys. Rev. Lett.,134,056102,2025,null Phys. Rev. Lett., 134, 2025. :056102

Unambiguous Identification of Carbon Location on N-Site in Semi-insulating GaN.Phys. Rev. Lett.,121,145505,2018,null Phys. Rev. Lett., 121, 2018. :145505

Vacancy-engineering-induced dislocation inclination in III-nitrides on Si substrates.Phys. Rev. Materials,4,073402,2020,null Phys. Rev. Materials, 4, 2020. :073402

High-mobility n--GaN drift layer grown on Si substrates.Appl. Phys. Lett.,118,222106,2021,null Appl. Phys. Lett., 118, 2021. :222106

High mobility GaN drift layer on Si substrates: The role of surface N vacancy on carbon incorporation.Appl. Phys. Lett.,123,022101,2023,null Appl. Phys. Lett., 123, 2023. :022101

一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物的方法

一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法

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多物理环境中III族氮化物异质结构电子漂移速率的测量方法

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青年科学基金项目(A类)[原国家杰青项目]：GaN基宽禁带半导体电子材料与器件（2026-2030）

国家自然科学基金重点项目：Si 衬底上准垂直结构 GaN 功率电子材料及器件（2023-2027） , 结题

国家自然科学基金优青项目：GaN基宽禁带半导体材料和器件（2020-2022）, 国家自然科学基金优青项目 , 在研

国家重点研发计划课题：大尺寸 Si 衬底上 GaN 及其异质结构的大失配外延和缺陷/应力控制技术研究（2021-2025）, 国家重点研发计划子课题 , 在研

国家自然科学基金面上项目：Si衬底上基于C掺杂的低位错密度GaN基异质结构的应力与杂质行为调控（2015-2019）, 国家自然科学基金面上项目 , 结题