Shan Wu, Xuelin Yang, Bo Shen and Haishan Zhang, Lin Shi, Qing Zhang, Qiuyu Shang, Zeming Qi, Yue Xu, Jie Zhang, Ning Tang, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Ke Xu.Unambiguous Identification of Carbon Location on N-Site in Semi-insulating GaN.Phys. Rev. Lett.,121,145505,2018,null Phys. Rev. Lett., 121, 2018. :145505

Yuxia Feng, Xuelin Yang, Kaihui Liu, Bo Shen and Zhihong Zhang, Duan Kang, Jie Zhang, Xinzheng Li, Jianfei Shen, Fang Liu, Tao Wang, Panfeng Ji, Fujun Xu, Ning Tang,Tongjun Yu, Xinqiang Wang, Dapeng Yu, Weikun Ge.Epitaxy of Single-Crystalline GaN Film on CMOS-Compatible Si(100) Substrate Buffered by Graphene.Adv. Funct. Mater.,29,1905056,2019,null Adv. Funct. Mater., 29, 2019. :1905056

Jie Zhang, Xuelin Yang, Bo Shen and J. P. Cheng, Y. X. Feng, P. F. Ji, A. Q. Hu, F. J. Xu, N. Tang, X. Q. Wang.Enhanced transport properties in InAlGaN/AlN/GaN heterostructures on Si (111) substrates: The role of interface quality.Appl. Phys. Lett.,110,172101,2017,null Appl. Phys. Lett., 110, 2017. :172101

Jianpeng Cheng, J. Zhang, A. Q. Hu, P. F. Ji, Y. X. Feng, L. Guo, C. G. He, L. S. Zhang, F. J. Xu, N. Tang, X. Q. Wang and Xuelin Yang, Bo Shen.Edge Dislocations Triggered Surface Instability in Tensile Epitaxial Hexagonal Nitride Semiconductor.ACS Appl. Mat. Interfaces,8,34108,2016,null ACS Appl. Mat. Interfaces, 8, 2016. :34108

Jianpeng Cheng, Xuelin Yang, Bo Shen and L. Sang, L. Guo, A. Q. Hu, F. J. Xu, N. Tang, X. Q. Wang.High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si substrates using a large lattice mismatch induced stress control technology.Appl. Phys. Lett.,106,142106,2015,null Appl. Phys. Lett., 106, 2015. :142106

化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法

一种InAlGaN/GaN异质结构外延方法

用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构

一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法

国家自然科学基金优青项目：GaN基宽禁带半导体材料和器件（2020-2022）, 国家自然科学基金优青项目 , 在研

国家重点研发计划子课题：大失配衬底上GaN基异质结构中应力与缺陷调控及多物理场下的载流子输运性质（2016-2020）, 国家重点研发计划子课题 , 在研

国家自然科学基金面上项目：Si衬底上基于C掺杂的低位错密度GaN基异质结构的应力与杂质行为调控（2015-2019）, 国家自然科学基金面上项目 , 结题

国家自然科学基金青年项目：强电场下InAlN/GaN异质结构的输运性质及其退化机理研究（2013-2015）, 国家自然科学基金青年项目 , 结题

国家高技术研究发展计划(863计划)子课题：氮化镓高效率射频放大器（2015-2017）, 国家高技术研究发展计划(863计划)子课题 , 结题