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杨学林
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论文成果
High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si substrates using a large lattice mismatch induced stress control technology
发布时间:2020-06-02点击次数:
影响因子: 0.0
发表刊物: Appl. Phys. Lett.
卷号: 106
页面范围: 142106
是否译文:
发表时间: 2015-04-09
第一作者: Jianpeng Cheng
通讯作者: Xuelin Yang, Bo Shen
合写作者: L. Sang, L. Guo, A. Q. Hu, F. J. Xu, N. Tang, X. Q. Wang