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杨学林
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论文成果
Enhanced transport properties in InAlGaN/AlN/GaN heterostructures on Si (111) substrates: The role of interface quality
发布时间:2020-06-02点击次数:
影响因子: 0.0
发表刊物: Appl. Phys. Lett.
卷号: 110
页面范围: 172101
是否译文:
发表时间: 2017-04-25
第一作者: Jie Zhang
通讯作者: Xuelin Yang, Bo Shen
合写作者: J. P. Cheng, Y. X. Feng, P. F. Ji, A. Q. Hu, F. J. Xu, N. Tang, X. Q. Wang