杨学林，2004年获吉林大学学士学位，2009年获北京大学博士学位，2009-2012年在日本东京大学从事博士后研究。目前为北京大学教授，博士生导师，青年科学基金项目（A类）[原国家杰出青年科学基金项目]获得者。近年来主要围绕GaN基电子材料与器件开展研究工作，在Si衬底上GaN基电子材料的MOCVD外延生长、缺陷物理研究等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文180余篇，包括以第一/通讯作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上发表SCI论文55篇。在本领域国内外学术会议上做邀请报告36次，申请/授权国家发明专利35件。主持国家自然科学基金青A/重点/青B/面上项目、国家重点研发计划课题，华为/北方华创等产学研合作项目，部分成果已实现产业化转移。