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杨学林
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杨学林
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简介:

杨学林,2004年获吉林大学学士学位,2009年获北京大学理学博士学位,2009-2012年在日本东京大学从事博士后研究,目前为北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师,国家优秀青年科学基金获得者(2019)。近年来主要围绕Si衬底上GaN基功率电子材料和器件开展研究工作,在SiGaN厚膜及其异质结构的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂机理、缺陷态影响电子器件可靠性等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文70多篇,包括以第一/通讯作者在Phys. Rev. Lett.Adv. Funct. Mater.Appl. Phys. Lett.等期刊上发表SCI论文30篇。在本领域国内外学术会议上做邀请报告13次,申请/授权国家发明专利13件。主持和参加国家自然科学基金优青、面上、青年项目,国家重点研发计划课题,广东省重点研发计划课题,863课题等10项科研任务,正在积极推动科研成果转化。