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杨学林
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杨学林
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专利
一种InAlGaN/GaN异质结构外延方法：ZL201611087469.9[p].
用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构：ZL201510921283.8[p].
一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法：ZL201510037027.2[p].
共13条 2/2
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