俞大鹏
点赞：
俞大鹏
点赞：
论文成果
Polarization modification in InGaN/GaN multiple quantum wells by symmetrical thin low temperature-GaN layers
发布时间：2019-11-13点击次数：
发表刊物：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
备注：
103529,2010
是否译文：
否
全部作者：
Tao, Y. B.; Chen, Z. Z.; Zhang, F. F.; 等