俞大鹏
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论文成果
The origin and evolution of V-defects in InxAl1-xN epilayers grown by metalorganic chemical vapor deposition
发布时间：2019-11-13点击次数：
发表刊物：
APPLIED PHYSICS LETTERS
备注：
231909,2009
是否译文：
否
全部作者：
Miao, Z. L.; Yu, T. J.; Xu, F. J.; 等