俞大鹏
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论文成果
Microstructure and origin of dislocation etch pits in GaN epilayers grown by metal organic chemical vapor deposition
发布时间：2019-11-13点击次数：
发表刊物：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
备注：
2008
是否译文：
否
全部作者：
Lu, L.; Gao, Z. Y.; Shen, B.; 等