俞大鹏
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论文成果
Structural and electrical properties of CeO2/Si with nitrided interfacial layer by nitrogen ion beam bombardment
发布时间：2019-11-13点击次数：
发表刊物：
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY
备注：
2001
是否译文：
否
全部作者：
Kang, JF; Liu, XY; Han, RQ et al.