俞大鹏
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论文成果
Effects of buffer layer on formation of domain boundaries in epilayer during film growth of GaN by low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire substrates
发布时间：2019-11-13点击次数：
发表刊物：
APPLIED PHYSICS LETTERS
备注：
1997
是否译文：
否
全部作者：
Cheng, LS; Zhang, Z; Zhang, GYet al.