戴伦
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论文成果
Epitaxial single-layer MoS2 on GaN with enhanced valley helicity
发布时间：2020-03-02点击次数：
影响因子：
0.0
发表刊物：
Advanced Materials
页面范围：
1703888
是否译文：
否
发表时间：
2017-01-01
第一作者：
Yi Wan
通讯作者：
Yu Ye,Lun Dai
全部作者：
Jun Xiao, Jingzhen Li, Xin Fang, Kun Zhang, Lei Fu, Pan Li, Zhigang Song, Hui Zhang, Yilun Wang, Mervin Zhao, Jing Lu, Ning Tang, Guangzhao Ran, Xiang Zhang,