胡晓东
点赞：
胡晓东
点赞：
论文成果
High spontaneous emission rate asymmetrically graded 480 nm InGaN/GaN quantum well light-emitting diodes,
发布时间：2020-02-14点击次数：
影响因子：
0.0
发表刊物：
APPLIED PHYSICS LETTERS
备注：
Lei Wang, Rui Li, Ziwen Yang, Ding Li, Tao Yu, Ningyang Liu, Lei Liu, Weihua Chen, and Xiaodong Hu*
期号：
95 (21)
页面范围：
211104, 2009
是否译文：
否