胡晓东
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论文成果
Influence of Indium Composition in the Prestrained InGaN Interlayer on the Strain Relaxation of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells in Laser Diode Structures
发布时间：2020-02-14点击次数：
影响因子：
0.0
发表刊物：
Journal of Applied Physics
备注：
Lei Liu, Lei Wang, Ding Li, Ningyang Liu, Weihua Chen, ZheChuan Feng, Weimin Du and Xiaodong Hu*,
期号：
109
页面范围：
073106 (2011)
是否译文：
否