许福军
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许福军
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论文成果
Epitaxial growth of AlN films on sapphire via a multilayer structure adopting low- and high- temperature alternation technique
发布时间：2020-06-27点击次数：
影响因子：
0.0
发表刊物：
CrystEngComm
卷号：
17
页面范围：
7496
是否译文：
否
发表时间：
2015-10-21