杨学林，2004年获吉林大学学士学位，2009年获北京大学理学博士学位，2009-2012年在日本东京大学从事博士后研究，目前为北京大学正高级工程师，国家优秀青年科学基金获得者。近年来主要围绕GaN基电子材料和器件开展研究工作，在Si衬底上GaN厚膜及其异质结构的MOCVD外延生长、GaN基材料中杂质缺陷研究等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文130多篇，包括以第一/通讯作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上发表SCI论文45篇。在本领域国内外学术会议上做邀请报告20次，申请/授权国家发明专利15件。主持国家自然科学基金重点/优青/面上项目、科技部国家重点研发计划课题，华为/北方华创等产学研合作项目，正在积极推动科研成果转化。