俞大鹏
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论文成果
Non-exponential photoluminescence decay dynamics of localized carriers in disordered InGaN/GaN quantum wells: the role of localization length:
发布时间：2019-11-13点击次数：
发表刊物：
OPTICS EXPRESS
备注：
2006
是否译文：
否
全部作者：
Wang, Y. J.; Xu, S. J.; Zhao, D. G.; 等