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戴伦
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论文成果
Epitaxial single-layer MoS2 on GaN with enhanced valley helicity
发布时间:2020-03-02点击次数:
影响因子: 0.0
发表刊物: Advanced Materials
页面范围: 1703888
是否译文:
发表时间: 2017-01-01
第一作者: Yi Wan
通讯作者: Yu Ye,Lun Dai
全部作者: Jun Xiao, Jingzhen Li, Xin Fang, Kun Zhang, Lei Fu, Pan Li, Zhigang Song, Hui Zhang, Yilun Wang, Mervin Zhao, Jing Lu, Ning Tang, Guangzhao Ran, Xiang Zhang,