主要研究方向：

1、 低维半导体材料及器件

二维过渡金属硫属化合物（TMDCs）（如：MoS2、MoTe2等）是制备新一代电子器件的重要候选材料。我们针对二维场效应晶体管中沟道长度与接触长度同步微缩等关键问题开展系统深入的研究；发展相关材料及器件工艺，设计并研制基于TMDCs材料及其异质结构的多种新型高性能微/纳电子器件（如：短接触间距场效应晶体管、高性能存储器、可编程CMOS器件等），推动实现低功耗微/纳光电集成。

2、 二维磁性半导体材料及器件

二维磁性半导体为研究原子级厚度极限下磁、光、电物性提供了一个充满吸引力的平台，并且有望应用于新型器件。我们基于CrI3及其异质结构，开展关于二维磁性半导体磁光电物性及新型圆偏振光探测器的研究。