鞠光旭，北京大学物理学院助理教授/研究员、北京大学博雅青年学者，入选国家级青年人才计划。博士毕业于日本名古屋大学，自2009年以来，致力于利用先进X射线实时原位表征技术研究GaN基半导体的外延生长动力学。近年，结合MOCVD与同步辐射大科学装置，为解决该领域中的重大科学问题提供了新思路和新方法。这包括InGaN外延生长机理、应变弛豫过程、异质结中位错作用机理等。实现在原子尺度上对氮化物外延生长过程进行精确监测和调控，并进一步研究和探索其物理特性。迄今，在《自然·物理》(Nature Physics)、《自然·通讯》(Nature Communications)等SCI收录论文近20篇，并在国内外学术会议上作了10余次邀请报告。
创新设计和搭建了世界上首台利用同步辐射相干X射线实时/原位监测半导体薄膜外延生长装置（In-situ Coherent X-ray Characterizations during MOCVD/MOVPE/OMVPE），首次观测到GaN表面二维原子岛形核生长的动力学过程，揭示了非极性面GaN外延生长的动力学机制，开创了相干X射线原位监测半导体薄膜外延生长动力学过程的新研究领域；第一个定量测定了GaN外延生长过程中A和B台阶的动力学参数，并揭示了外延交替排列的两种原子台阶生长机制的研究者；此外，首次验证了GaN衬底中的线性位错密度对上层InGaN外延层的临界厚度产生影响，并揭示了位错对其应变弛豫的作用机制。这些研究成果为第三代半导体领域的基础前沿技术提供了重要科学支撑。