王新强
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王新强
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发表论文（2013-2022年）
Epitaxial growth of AlN films on sapphire via a
multilayer structure adopting a low- and hightemperature alternation technique
发布时间：2022-04-10点击次数：
影响因子：
3.545
DOI码：
10.1039/c5ce01159k
发表刊物：
CrystEngComm
论文类型：
Journal
文献类型：
J
是否译文：
否
发表时间：
2015-06-19
第一作者：
X. Zhang
通讯作者：
F. J. Xu, B. Shen
全部作者：
J. M. Wang, C. G. He, L. S. Zhang, J. Huang, J. P. Cheng,
Z. X. Qin, X. L. Yang, N. Tang, X. Q. Wang