杨学林
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杨学林，2004年获吉林大学学士学位，2009年获北京大学理学博士学位，2009-2012年在日本东京大学从事博士后研究，目前为北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师，国家优秀青年科学基金获得者(2019年)。近年来主要围绕Si衬底上GaN基功率电子材料和器件开展研究工作，在Si基GaN厚膜及其异质结构的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂机理、缺陷态影响电子器件可靠性等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文70多篇，包括以第一/通讯作者在...
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教育经历
2004.9 - 2009.7
北京大学
凝聚态物理
博士学位
2000.9 - 2004.7
吉林大学
物理学
学士学位
工作经历
2012.7 - 至今
北京大学
工程师/高级工程师
2009.10 - 2012.6
东京大学
博士后
基本信息
研究方向
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